MOS管和IGBT管作为现代电子设备使用频率高的新型电子设备，在电子电路中经常相遇。但是，由于MOS管和IGBT管的形状和静态参数相似，因此在选择、判断、使用时容易出差。MOS管和IGBT管的可靠识别方法是选择、判断和使用清扫障碍！

MOS管

MOS管是MOSFET，是中文名称的金属氧化物半导体绝缘栅场效应管。其特性是输入阻力高、开关速度快、热稳定性好、电压控制电流等特性。

IGBT管

IGBT中文名绝缘格栅双极型场效晶体管是MOS管与晶体三极管的组合，MOS作为输入管，晶体三极管作为输出管。因此，三极管的功率非常大，两者组合后，MOS管的优点和晶体三极管的优点。

综上所述，两种晶体管是目前电子设备使用频率高的电子部件，两者在形状和静态参数上非常相似，一些电子产品有技术垄断，电路中有时型号被擦掉，至今为止命名标准和型号都没有统一标准，形状和脚的排列相似

MOS管和IGBT管的区别

带阻尼的NPN型IGBT管与N槽强化型MOMS管的识别带阻尼的NPN型IGBT管与N槽强化型MOMS管的栅极位置相同，IGBT管的C极位置与MODS管的D极位置相对应，IGBT管的E极位置与MODS管的S极位置相对应

一、静态测量判断MOS管和IGBT管的好坏

首先，将两个管脚短路放弃静电，MOS管的D极和S极之间有PN连接，正向导通反向截止，Rgd=Rgs=Rds=无限大，Rsd=数千欧元。IGBT管的G极c、e极电阻无限大，即Rgc=Rge=无限大，IGBT管之间存在阻尼二极管，因此具有单向导电反向截止特性，即Rce=无限大，Rec=数千欧元。从这里只能用万用表的电阻挡来判断管子的好坏，但是不能区分那个管子。如果测量电阻值小，则表示管道被破坏，测量电阻值大，表示管道内部断路。